國內最大、全球第三大矽晶圓製造商環球晶圓（6488）董事長暨執行長徐秀蘭周四（10/26）在南港展覽館舉行的第31屆國際光電大展會場表示，目前有看到矽晶圓的客戶（晶圓代工業者）狀況明顯逐季改善，營業額緩步回升。
但她強調，這不代表客戶開始回補庫存、重新拉貨，或下急單。
反而，「現在看到的急單，都是在化合物半導體比較多！」
徐秀蘭預期，隨著碳化矽（SiC）等化合物半導體進入快速成長期，而且IDM等國際客戶明顯偏好8吋晶圓甚於6吋晶圓，環球晶的8吋碳化矽晶圓將在2024年進入客戶認證的密集期、2025年明顯放量，並在2026年與6吋晶圓並列為碳化矽晶圓的兩大支柱。
環球晶做碳化矽第十年 明年認證密集期、2025開始放量
「我2~3年前在講化合物半導體時，那時覺得8吋沒有那麼快（上來），6吋應該會（持續）更久，那時6吋（碳化矽晶圓製程）都還在調整良率，這（現在）看來是完全錯誤。」
「沒有想到，現在8吋（碳化矽晶圓）長晶我們自己長出來，切磨拋（切割、研磨、拋光）也做出來了，defect（缺陷）的程度也相當不錯。」
徐秀蘭上午在環球晶圓攤位接受媒體聯訪時表示，環球晶做碳化矽進入第十年，原本以為從6吋晶圓進入8吋晶圓的時間要更久，但看來2024年將進入客戶認證的密集期。
她推估，環球晶的碳化矽8吋晶圓將在明年第四季小量投產、2025年放量，並在2026年與6吋晶圓雙雙成為碳化矽晶圓的兩大支柱，且「2026年後以出貨量來看，8吋一定會大於6吋」。
至於採用8吋碳化矽晶圓的第一波客戶，仍以IDM為主，主要用途是汽車等功率元件，「都是IDM逼我們逼最兇」。
徐秀蘭也說明，就2024年來說，工程部門將持續調整8吋碳化矽晶圓的良率及穩定度，業務部門則是要讓所有客戶開始做認證。
2025年6吋晶圓仍將是碳化矽業務的主力，惟8吋將會快速放量，並於2026年追平6吋晶圓。
環球晶展出8吋碳化矽晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片超薄加工能力
環球晶圓在本屆光電展展出了8吋碳化矽（SiC）晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片的超薄加工能力，以及在氮化鎵（GaN）磊晶領域等具高附加價值的利基產品，展現其深耕化合物半導體產業多年的技術優勢。
碳化矽晶體需要在極高溫密閉環境下生長，長晶爐的熱場設計及坩堝材質等因素增加了設備和操作的複雜性。環球晶圓自主設計開發碳化矽專用的長晶爐，在實現更高的材料品質控制的同時，進一步降低長晶成本。
藉由卓越的技術控制、生產效率和持續的研究開發，環球晶圓克服碳化矽長晶的技術困難，將碳化矽（SiC）長晶成功推進至8吋，為客戶提供高品質、高性能的碳化矽材料。
超薄碳化矽晶圓 有輕量、熱傳導、材料成本等優勢
環球晶說明，碳化矽高硬度與高脆性使得後續晶圓加工過程非常困難。奠基於晶圓加工的先進技術，環球晶圓以更高的製程精度與更有效的晶圓處理方法，成功實現碳化矽晶圓的超薄加工，於展場推出6吋90µm 及8吋350µm碳化矽超薄拋光晶圓。
超薄碳化矽晶圓在輕量化、散熱性能、熱傳導、高頻率操作、元件微型化和材料成本等方面具有優勢，是高性能半導體元件的理想選擇。
環球晶圓的碳化矽晶圓包含4~6吋半絕緣晶片與6~8吋導電型碳化矽晶片，全方位產品可以滿足客戶多樣化需求，多領域的應用擴展。
氮化鎵異質磊晶存在諸多技術困難，例如晶格不匹配、應力和缺陷等問題，環球晶圓專注研發，成功推出全系列氮化鎵異質磊晶產品，包括矽基板、碳化矽基板和藍寶石基板等。多樣的基板選擇可以滿足不同的需求，全方位拓展終端應用。
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