英特爾日前更新製程技術命名，把原來預定量產的時程都往前提，計畫在二○二四年量產二奈米並追上台積電。
兩大半導體龍頭未來的競爭態勢，將是全球半導體業最值得重視的大事。
英特爾七月二十六日更新製程技術發展藍圖的節點命名，並且把原來預定量產的時程全部提前，計畫在二○二四年量產二奈米。這個宣示，意味著英特爾這家半導體業巨擘，終於擬定追趕台積電，補足落後三年差距的目標。未來，台積電與英特爾兩大半導體龍頭的競爭態勢，將是全球半導體業重要大事。
雖然八月十日報載一則消息，指出英特爾將自二○二二年第二季開始，投片台積電，量產最先進三奈米製程，但這新聞立刻遭半導體權威分析師陸行之提出疑問，認為此與台積先前公布的製程量產進程、英特爾產品規畫時程對不上。卻也可見市場對兩家公司競合的高度關切。
過去五年，是英特爾發展史中很辛苦的一段期間，不僅製程技術明顯落後台積電、三星，核心CPU市占也拱手讓出一大塊給勁敵超微（AMD），另外在手機晶片發展也失敗。這段期間的執行長表現確實也平淡無奇，科再奇（Brian Krzanich）於一八年突然辭職，繼任的史旺（Bob Swan）出身財務，聚焦的策略是降低成本，買回股票比投入研發更積極，直到今年二月蓋爾辛格（Pat Gelsinger）上任，才終於出現轉機。
此次英特爾更新製程技術命名，並公布未來五年技術發展時程，主要是過去台積電、三星、英特爾三大半導體廠對相同技術節點數字的電晶體密度、線寬上各有不同說法，造成許多比較上的困難。
因此，英特爾修正製程節點命名，改用和台積電同樣標準，例如英特爾在10nm（奈米）之後的技術，原稱作10nm SuperFin，此次改名為7nm；原本的七奈米就改名為「Intel 4」，並新增「Intel 3」製程節點，之後則是「Intel 20A」及「Intel 18A」。
其中，Intel 4、Intel 3接近台積電及三星的五奈米及三奈米，至於20A（埃米，Angstrom）就是二奈米，而二奈米後的一．八奈米，就改成二十埃米後還有十八埃米，使得進奈米後的技術競賽，都可以統一各未來先進製程技術名稱來區分辨別。
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