三星少主剛出獄就開嗆台積電！2025年搶先量產2奈米製程　這關鍵已點出勝負...

三星在先前的先進製程時程表指出，本來2021年就要投產3奈米製程，但在論壇上提及，要全面轉移至最新價購技術難度相當高，2022年上半年才會推出3奈米製程，雖然相較於台積電3奈米製程同年下半年才會推出，但台積電7月法說指出，主要是配合客戶時程。目前三星晶圓代工主要客戶包括美國半導體巨頭高通、伺服器處理器供應商IBM、顯卡大廠NVIDIA，以及自家的處理器晶片。

三星集團實際領導人、三星電子副會長李在鎔8月假釋出獄後，立即宣布未來3年投入240兆韓圜(約2050億美元) ，鞏固該公司在後疫情時代科技產業的優勢地位，甚至稱該公司下一代製程節點3奈米製程採用環繞閘極技術（Gate-All-AroundGAA）不會輸給競爭對手、也就是台積電。

三星3奈米製程研發規劃分為2個階段，第一代的GAA GAE(GAA-Early)與第二代3奈米GAP(GAA-Plus)，2019年稱3奈米GAE製程2020年底前展開風險試產，2021年開始量產，但目前未見蹤影，外界認為將延遲到2023年才會量產，但三星目前宣布將在2022年上半年投產。

三星就算宣稱3奈米正式流片，預計2022年上半年量產，但跟先前IBM宣稱推出全球首款2奈米GAA技術，雖然證實技術的可行性，重點仍在於製程的良率問題，能否脫離實驗室大規模量產，從5奈米製程來看，去年採用三星5奈米製程的高通Snapdragon 888就出現過熱問題，也輸給台積電5奈米製程的蘋果A14、M1晶片效能表現，今年蘋果A15 晶片效能更遠勝S888。

三星也強調，與5奈米製程相比，三星首顆3奈米製程GAA技術晶片面積將縮小35%，性能提高 30% 或功耗降低 50%。三星也表示3奈米製程良率正在逼近4奈米製程，預計2022 年推出第一代 3 奈米 3GAE 技術，，2023 年推出新一代3 奈米 3GAP技術，2025 年 2 奈米 2GAP 製程投產。

然而，根據台積電年報資訊，3 奈米基於EUV技術展現優異的光學能力，與符合預期的晶片良率，以減少曝光機光罩缺陷及製程堆疊誤差，並降低整體成本，2 奈米及更先進製程上將著重於改善極紫外光技術的品質與成本。

台積電積極與半導體設備生產商、荷商艾司摩爾合作在EUV機台的緊密合作，不僅取得機台數量較為優勢，設備技術的開發更致關重要，這也是台積電能超越三星、英特爾的關鍵原因之一，後2者也頻以將大規模運用EUV曝光機投入產線，英特爾甚至宣布4奈米製程將採用高數值孔徑（High NA）EUV微影技術，這也是ASML新一代半導體生產設備，顯示EUV技術在先進製程的關鍵地位。

除了台積電、三星，英特爾今年宣布重返晶圓代工業務，並在今年7月正式宣布推出先進製程技術藍圖，計畫在未來4年推出5個新世代晶片製程技術，並宣布將原本的10 奈米 Enhanced SuperFin正名為Intel 7，原先的7奈米正名為Intel 4，之後分別為Intel 3、Intel 20A、Intel 18A 等，也就是說2025年就會達到2奈米製程的領域，並追趕超越台積電，但一照目前市況來看，台積電市占率依舊穩坐50%以上的龍頭寶座，也有蘋果等大客戶支撐先進製程研發，最新消息指出，IC設計公司Marvell宣布採用台積電3奈米製程的全新先進技術平台，預料仍由蘋果搶下首波產能，甚至英特爾也可能下單，比喊出何時投產更為重要。

※本文授權自中時電子報，原文見此。