當DRAM和NAND無法滿足市場的需求，各廠商競相開發各種相容記憶體，包括英特爾、美光、松下、聯電等大廠，記憶體市場供需將產生結構性轉變。
筆者並指出，英特爾和美光三維XPoint的類相變記憶體（Phase Change Memory）、可變電阻式記憶體（Resistive RAM）和碳奈米管記憶體（Carbon Nanotube RAM）三大類，最有機會在二○一八年至一九年起，逐漸瓜分部分市場，進而在一九年至二○年，令記憶體市場供需產生結構性轉變。
有趣的是，邏輯晶圓代工的聯電，近年來積極與日本富士通、松下和福建晉華半導體等廠，進行多角化合作，布局可變電阻式和碳奈米管式記憶體設計和代工，擴展記憶體代工業務。
首先，筆者認為，英特爾和美光將於今年下半年，利用其三維XPoint技術，為電腦、平板、資料儲存中心等產品，區隔出一個價格比DRAM便宜一半以上、但速度比NAND快近一千倍的記憶體市場；兩家公司的雄厚財力及量產能力，應是未來量產成功的主因。
可變電阻式記憶體速度與三維 XPoint可匹敵，又比DRAM容量多四十倍，在耗電（僅NAND的七分之一） 和成本上具優勢，因此適用於智慧手機、智慧電表、晶片卡和穿戴裝置。目前松下與聯電攜手研發四十奈米製程和設計，Crossbar提供設計，而中芯提供四十和二十八奈米製程技術， 聯電派資深副總經理陳正坤擔任福建晉華總經理協助建廠，並開發三十二奈米相關製程技術，預計聯電、中芯國際與福建晉華於一八至一九年進入量產。
碳奈米管記憶體是三者中，速度最能與DRAM抗衡的非揮發性記憶體，適用於企業伺服器、汽車，而其抗高溫和輻射的特性，可用於國防和太空工業，且其成本優勢及與DRAM生產設備的互通性，預估將取代部分DRAM和磁阻式記憶體。
（本專欄隔周刊出）
